| 发明名称 | 抑制寄生电荷积累的非易失性存储器件及其操作方法 | ||
| 摘要 | 抑制寄生电荷积累的非易失性存储器件及其操作方法。操作电荷俘获非易失性存储器件的方法包括：通过选择性擦除第一串中第一多个非易失性存储单元以及随后选择性擦除第一串中第二多个非易失性存储单元来擦除第一串非易失性存储单元的操作，第二多个非易失性存储单元与第一多个非易失性存储单元交替。选择性擦除第一多个非易失性存储单元的操作可包括在抑制擦除第二多个非易失性存储单元的阻断条件下，在偏置第二多个非易失性存储单元的同时，擦除第一多个非易失性存储单元。选择性擦除第二多个非易失性存储单元的操作可包括在抑制擦除第一多个非易失性存储单元的阻断条件下，在偏置第一多个非易失性存储单元的同时，擦除第二多个非易失性存储单元。 | ||
| 申请公布号 | CN101441893B | 申请公布日期 | 2014.06.25 |
| 申请号 | CN200810177916.9 | 申请日期 | 2008.11.21 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李昌炫;徐康德;林瀛湖;崔正达 |
| 分类号 | G11C16/10(2006.01)I;G11C16/08(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I;G11C16/30(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 陈源;张帆 |
| 主权项 | 一种操作非易失性存储器件的方法，包括：通过选择性地擦除在第一串非易失性存储单元中的奇数非易失性存储单元以及随后选择性地擦除所述第一串非易失性存储单元中的偶数非易失性存储单元，来擦除非易失性存储器件中的第一串非易失性存储单元，所述偶数非易失性存储单元与所述奇数非易失性存储单元相交替。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地 | ||