半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法。本发明的一个目的是改善使用氧化物半导体的薄膜晶体管的场效应迁移率。另一个目的是即使在具有改善了场效应迁移率的薄膜晶体管中也能够抑制在截止电流上的增加。在使用氧化物半导体层的薄膜晶体管中，通过将具有比氧化物半导体层更高导电率和更小厚度的半导体层形成于氧化物半导体层和栅绝缘层之间，可以改善薄膜晶体管的场效应迁移率，并且可以抑制截止电流上的增加。

主权项

一种半导体器件，包括：栅电极层；在所述栅电极层的上方的栅绝缘层；在所述栅绝缘层的上方的第一氧化物半导体层；在所述第一氧化物半导体层的上方的第二氧化物半导体层；在所述第二氧化物半导体层的上方的具有n型导电性的一对缓冲区；和在所述一对缓冲区中的一个缓冲区的上方的源电极层和在所述一对缓冲区中的另一个缓冲区的上方的漏电极层，其中，所述第二氧化物半导体层和所述一对缓冲区中的每个都包含铟、镓、和锌，所述第一氧化物半导体层的厚度小于所述第二氧化物半导体层的厚度，以及所述第一氧化物半导体层的导电率高于所述第二氧化物半导体层的导电率。