一种硅管及硅管太阳电池级多晶硅棒制备方法

摘要

本发明涉及硅管及利用硅管制备太阳电池级本征多晶硅棒及掺硼的P型多晶硅棒的方法。使用本征导电性硅环作为籽晶，采用单晶炉及CZ法拉制具有含硼的P型或本征导电性的超纯硅管。用含硼的P型硅管作为化学法还原炉中的热载体，当载体加热温度在1050-1100℃左右时，高纯氢及三氯氢硅反应生成的硅沉积在热载体上，制备超纯的硅管多晶硅棒。用本征导电性的硅管作为容器，装入物冶法生产的原料硅，用FZ法对硅管多次定向凝固，利用分凝效应制备致密的、高纯度的硅管太阳能电池级多晶硅棒。采用本发明制备的太阳电池级多晶硅棒，为生产太阳电池级单晶硅创造了条件，进而制备高质量低成本的太阳电池，对促进光伏事业发展有重要意义。

主权项

一种硅管的制备方法，其特征在于：使用本征导电性硅环作为籽晶，采用直拉硅单晶炉及切克劳斯基法拉制长度大于1米的等径的具有含硼的P 型或者本征导电性的硅管。