一种阵列基板的制造方法

摘要

本发明实施例公开了一种阵列基板的制造方法，用于制造低分辨率的OLED面板的非晶硅阵列基板，该方法包括如下步骤：在玻璃基板上采用第一道光罩工艺，形成栅极金属层和像素电极图案；采用第二道光罩工艺，形成栅极绝缘层、半导体层图案，所述第一道光罩工艺和第二光罩工艺均为半调式光罩工艺；采用第三道光罩工艺，形成源/漏极金属层和沟道；采用第四道光罩工艺，形成钝化层。实施本发明实施例，简化了制造低分辨率OLED显示面板的a-Si阵列基板的工艺流程，可以减少掩膜板的使用量，降低了生产成本。

主权项

一种阵列基板的制造方法，用于制造低分辨率的OLED面板的非晶硅阵列基板，其特征在于，包括如下步骤：在玻璃基板上采用第一道光罩工艺，形成栅极金属层和像素电极图案，所述第一道光罩工艺为半调式光罩工艺；采用第二道光罩工艺，形成栅极绝缘层、半导体层图案，所述第二道光罩工艺为半调式光罩工艺；采用第三道光罩工艺，形成源/漏极金属层和沟道；采用第四道光罩工艺，形成钝化层。