发明名称 反应腔室和磁控溅射设备
摘要 本发明公开了一种反应腔室和磁控溅射设备,该反应腔室包括腔体,腔体内平行设置有若干个竖直放置的靶材,相邻靶材之间设置有进气管道,进气管道的一端设置有第一进气口,进气管道的管道壁上设置有若干个出气孔,溅射气体从第一进气口通入进气管道并通过出气孔进入到腔体内,本发明的技术方案通过在相邻靶材之间设置进气管道,且在进气管道的管道壁上设置若干个出气孔,从而使得溅射气体能较快的充满整个腔体,而且通过上述通气方式可有效保证腔体内溅射气体浓度的均匀,从而使得镀膜的均一性得到提高,同时,出气孔外的气流还能有效的对靶材进行散热,可有效避免靶材产生部分脱落的现象。
申请公布号 CN103882397A 申请公布日期 2014.06.25
申请号 CN201410097024.3 申请日期 2014.03.14
申请人 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 发明人 刘晓伟;郭会斌;冯玉春;王守坤;郭总杰
分类号 C23C14/35(2006.01)I 主分类号 C23C14/35(2006.01)I
代理机构 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人 彭瑞欣;陈源
主权项 一种反应腔室,其特征在于,包括:腔体,所述腔体内平行设置有若干个竖直放置的靶材,相邻所述靶材之间设置有进气管道,所述进气管道的一端设置有第一进气口,所述进气管道的管道壁上设置有若干个出气孔,溅射气体从所述第一进气口通入至所述进气管道内,并通过所述出气孔进入到所述腔体内。
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