发明名称 |
反应腔室和磁控溅射设备 |
摘要 |
本发明公开了一种反应腔室和磁控溅射设备,该反应腔室包括腔体,腔体内平行设置有若干个竖直放置的靶材,相邻靶材之间设置有进气管道,进气管道的一端设置有第一进气口,进气管道的管道壁上设置有若干个出气孔,溅射气体从第一进气口通入进气管道并通过出气孔进入到腔体内,本发明的技术方案通过在相邻靶材之间设置进气管道,且在进气管道的管道壁上设置若干个出气孔,从而使得溅射气体能较快的充满整个腔体,而且通过上述通气方式可有效保证腔体内溅射气体浓度的均匀,从而使得镀膜的均一性得到提高,同时,出气孔外的气流还能有效的对靶材进行散热,可有效避免靶材产生部分脱落的现象。 |
申请公布号 |
CN103882397A |
申请公布日期 |
2014.06.25 |
申请号 |
CN201410097024.3 |
申请日期 |
2014.03.14 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
发明人 |
刘晓伟;郭会斌;冯玉春;王守坤;郭总杰 |
分类号 |
C23C14/35(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/35(2006.01)I |
代理机构 |
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 |
代理人 |
彭瑞欣;陈源 |
主权项 |
一种反应腔室,其特征在于,包括:腔体,所述腔体内平行设置有若干个竖直放置的靶材,相邻所述靶材之间设置有进气管道,所述进气管道的一端设置有第一进气口,所述进气管道的管道壁上设置有若干个出气孔,溅射气体从所述第一进气口通入至所述进气管道内,并通过所述出气孔进入到所述腔体内。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |