| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括一第一掺杂区、一第二掺杂区以及一栅极结构；第一掺杂区具有一第一导电型，第二掺杂区形成于第一掺杂区中，并具有相对于第一导电型的一第二导电型；栅极结构形成第一掺杂区和第二掺杂区上；栅极结构包括一第一栅极部分和一第二栅极部分，彼此是以一间隙(gap)分隔开。 | ||
| 申请公布号 | CN103887336A | 申请公布日期 | 2014.06.25 |
| 申请号 | CN201210553159.7 | 申请日期 | 2012.12.19 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 詹景琳;林镇元;林正基;连士进 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：一第一掺杂区，具有一第一导电型；一第二掺杂区，形成于该第一掺杂区中，并具有相对于该第一导电型的一第二导电型；以及一栅极结构，位于该第一掺杂区和该第二掺杂区上，该栅极结构包括一第一栅极部分和一第二栅极部分，彼此是以一间隙(gap)分隔开。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||