半导体封装结构的形成方法

摘要

一种半导体封装结构的形成方法，包括：提供半导体芯片，在芯片的焊盘上依次形成耐热金属层和金属浸润层，在金属浸润层上依次形成附着层和阻挡层，在阻挡层上形成焊料后回流，形成柱状凸点；提供引线框架，将形成有柱状凸点的芯片倒装于引线框架上，所述柱状凸点与引线框架的内引脚电连接；形成密封所述芯片、柱状凸点和引线框架，并裸露出所述外引脚的塑封层。本发明使得封装结构占据的横向的面积减小，整个封装结构的体积相应减小，提高了封装结构的集成度。

主权项

一种半导体封装结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体芯片，所述芯片的表面设有焊盘和钝化层，所述钝化层设有裸露所述焊盘的第一开口；在芯片的焊盘和钝化层上依次形成耐热金属层和金属浸润层；在金属浸润层上形成光刻胶，所述光刻胶设有曝露出芯片焊盘上方金属浸润层的第二开口；在第二开口中的金属浸润层上依次形成附着层和阻挡层；在阻挡层上形成焊料；去除光刻胶；蚀刻钝化层上的耐热金属层和金属浸润层至钝化层裸露；回流焊料，形成柱状凸点；提供引线框架，所述引线框架设有若干分立的引脚，内引脚和外引脚设于引脚的相对两面；将形成有柱状凸点的芯片倒装于引线框架上，所述柱状凸点与所述内引脚电连接；形成密封所述芯片、柱状凸点和引线框架，并裸露出所述外引脚的塑封层。