发明名称 PROCESS FOR THE PRODUCTION OF SiC MATERIAL
摘要 A process for the production of SiC material comprises mixing of powder of filler SiC, dampening with binder, forming and sintering at mentioned temperature. The powder of filler is used of three fractions, they are dosed and mixed, and the mixture is dampened with combined binder with ETS-40 with addition of alcohol solution of boric acid, and sintered at temperature of 1350-1400 °C.
申请公布号 UA91167(U) 申请公布日期 2014.06.25
申请号 UA20140000211U 申请日期 2014.01.13
申请人 НАЦІОНАЛЬНИЙ ТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ "ХАРКІВСЬКИЙ ПОЛІТЕХНІЧНИЙ ІНСТИТУТ" 发明人 Семченко Галина Дмитрівна;Рожко Ірина Миколаївна;Єгурнов Олександр Іванович;Тищенко Сергій Васильович;Вовк Ася Віталіївна
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
地址