| 发明名称 | 半导体材料及使用了它的光氢生成设备以及氢的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体材料，其是如下的半导体材料，即，在含有选自第4族元素及第5族元素中的至少任意一种元素的氮氧化物中，将选自氧及氮中的至少任意一种的一部分用碳置换。作为第5族元素，优选为Nb。 | ||
| 申请公布号 | CN103889571A | 申请公布日期 | 2014.06.25 |
| 申请号 | CN201280043179.8 | 申请日期 | 2012.08.31 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 羽藤一仁;德弘宪一;铃木孝浩;野村幸生;太田健一郎;石原显光 |
| 分类号 | B01J27/24(2006.01)I;B01J23/20(2006.01)I;B01J35/02(2006.01)I;C01B3/04(2006.01)I;H01M4/86(2006.01)I;H01M8/10(2006.01)I | 主分类号 | B01J27/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 蒋亭 |
| 主权项 | 一种半导体材料，在含有选自第4族元素及第5族元素中的至少任意一种元素的氮氧化物中，将选自氧及氮中的至少任意一种的一部分用碳置换。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||