| 发明名称 | 自旋霍尔效应磁性设备、方法及应用 | ||
| 摘要 | ST-MRAM结构、用于制造该ST-MRAM结构的方法以及用于操作源自ST-MRAM结构的ST-MRAM装置的方法均采用了自旋霍尔效应基层，该自旋霍尔效应基层与磁性自由层接触，并在磁性自由层内产生磁矩切换由此在自旋霍尔效应基层内产生横向切换电流。这使得ST-MRAM装置使用经过磁阻堆叠的独立的感测电流和感测电压，其中磁阻堆叠包括固定层、非磁性间隔层和与自旋霍尔效应基层接触的磁性自由层。用于自旋霍尔效应基层的理想的非磁性导电材料包括某些类型的钽材料及钨材料，这些材料具有不大于自旋霍尔效应基层的厚度约5倍的自旋扩散长度和至少约0.05的自旋霍尔角。 | ||
| 申请公布号 | CN103890855A | 申请公布日期 | 2014.06.25 |
| 申请号 | CN201280050731.6 | 申请日期 | 2012.08.17 |
| 申请人 | 康奈尔大学 | 发明人 | 罗伯特·A·比尔曼;刘鲁乔;丹尼尔·C·拉尔夫;白奇峰 |
| 分类号 | G11C11/15(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/15(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人 | 余朦;王艳春 |
| 主权项 | 一种磁性结构，包括：自旋霍尔效应基层，位于基板之上；以及磁性自由层，位于所述基板之上并且接触所述自旋霍尔效应基层，其中构成所述自旋霍尔效应基层的非磁性导电材料具有：大于约0.05的自旋霍尔角；以及不大于所述非磁性导电材料中的自旋扩散长度约5倍的厚度。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||