发明名称 一种用于搪瓷卷板连续生产的中间层及制备方法
摘要 本发明涉及一种用于搪瓷卷板连续生产的中间层及其制备方法,是运用化学镀方法在经过预处理的搪瓷基板上获得的非晶态Ni-P-B中间层,所述非晶态Ni-P-B中间层,镀层各组分质量百分比为88%≤Ni≤92%、7%≤P≤11.8%、0.2%≤B≤2%,镀层厚度为300~500mg/m<sup>2</sup>。该Ni-P-B中间层具有较高的耐蚀性和结合力,可增强搪瓷层与基板的附着力,从而实现搪瓷钢板卷到卷的方式连续生产。
申请公布号 CN102529204B 申请公布日期 2014.06.25
申请号 CN201110349872.5 申请日期 2011.11.08
申请人 武汉中冶斯瑞普科技有限公司 发明人 路兴浩;罗东岳;余庚
分类号 B32B9/04(2006.01)I;B32B15/18(2006.01)I;C23C18/36(2006.01)I 主分类号 B32B9/04(2006.01)I
代理机构 武汉帅丞知识产权代理有限公司 42220 代理人 朱必武;周瑾
主权项 一种用于搪瓷卷板连续生产的中间层,是运用化学镀方法在经过预处理的搪瓷基板上获得的非晶态Ni‑P‑B中间层,其特征在于,所述非晶态Ni‑P‑B中间层,镀层各组分质量百分比为88%≤Ni≤92%、7%≤P≤11.8%、0.2%≤B≤2%,镀层厚度为300 ~500mg/m<sup>2</sup>;所述化学镀方法获得Ni‑P‑B中间层,化学镀Ni‑P‑B工艺配方为:硫酸镍21~33 g/L;次亚磷酸钠22~36 g/L;二甲氨基硼烷1~3 g/L;苹果酸8~15 g/L;乳酸18~28 g/L;醋酸钠12~24 g/L;氢氧化钠12~20 g/L;硼砂1~2.5 g/L;硫脲0.001~0.005 g/L;苯磺酸钠0.5~2 g/L;温度75~85℃;pH值5~7。
地址 430073 湖北省武汉市东湖开发区光谷大道51号