一种提升频率特性的赝配高电子迁移率晶体管及制作方法

摘要

本发明是一种赝配高电子迁移率晶体管的制作方法，本发明是在普通的双凹槽工艺的基础上进行的，利用介质层(11)将空洞层(15)隔成两个区域，再利用介质层(14)将被隔成的两个空洞区域都封闭，最后利用干法的各向异性刻蚀将介质层(14)刻蚀，但仍然剩余部分的介质层(14)将空洞区域封闭。制作方法，利用MBE的方法形成InGaAs/AlGaAs/GaAs异质结材料，利用干法及湿法形成凹槽，利用等离子体增强化学汽相、蒸发方法形成介质层，制成双凹槽砷化镓赝配高电子迁移率晶体管。优点：减小栅寄生电容，提高器件的频率特性。

主权项

赝配高电子迁移率晶体管，其特征是缓冲层位于衬底和InGaAs沟道层之间，低掺杂砷化镓层（4）在InGaAs沟道层及AlGaAs势垒层（3）上；高掺杂砷化镓层（5）在低掺杂砷化镓层（4）上；高掺杂砷化镓层（5）上的源电极（6）和与源电极间有漏电极（7）；源电极（6）和漏电极（7）之间去除高掺杂砷化镓层（5）提供A凹槽（8）；该A凹槽（8）及高掺杂砷化镓层（5）表面提供介A介质层（9）、B介质层（10）、C介质层（11）、D介质层（12）、E介质层（13）；在A凹槽（8）中去除低掺杂砷化镓层（4）以提供B凹槽（16）；栅电极金属（17）位于E介质层（13）及B凹槽（16）上。