| 发明名称 | 一种降低镍管道缺陷的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种降低镍管道缺陷的方法，包括：对硅衬底表面进行低温硅离子注入，以在硅衬底表面形成一层均匀的无定形层；进行镍淀积。本发明的技术方案有效地阻隔镍管道缺陷的发生，大大降低了镍管道缺陷的形成，能够将镍管道缺陷数目从几千颗水准降到几十颗水准，并实现对MOS器件带来的影响达到可控的目的。 | ||
| 申请公布号 | CN103887149A | 申请公布日期 | 2014.06.25 |
| 申请号 | CN201410106537.6 | 申请日期 | 2014.03.20 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 何志斌;邱裕明 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人 | 吴俊 |
| 主权项 | 一种降低镍管道缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，制备硅衬底；步骤2，对所述硅衬底表面进行硅离子注入，以在硅衬底表面形成一层均匀的无定形层；步骤3，进行镍淀积。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||