发明名称 |
一种对晶圆表面金属进行钝化及合金化处理的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种对晶圆表面金属进行钝化及合金化处理的方法,其在完成了金属层钝化及合金化处理后,对晶圆进行可接受度检查的电性测试,同时对于测试出的多晶硅栅极电阻偏低而未达标的晶圆,立即进行第二次的合金化处理进行弥补,以增加晶圆的多晶硅栅极电阻的阻值,使其达到标准值,有效提升晶圆的成品质量和优良率,并且同时提高生产效率。 |
申请公布号 |
CN103887159A |
申请公布日期 |
2014.06.25 |
申请号 |
CN201210557539.8 |
申请日期 |
2012.12.20 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
孙琪;邓咏桢;黄飞;黄晖;程洁;钱亚峰;李晓娜;丁甲;张凌越 |
分类号 |
H01L21/28(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/28(2006.01)I |
代理机构 |
上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 |
代理人 |
张静洁;徐雯琼 |
主权项 |
一种对晶圆表面金属进行钝化及合金化处理的方法,其特征在于,具体包含以下步骤:步骤1、对晶圆表面金属层进行钝化处理,在金属层上形成一层氧化物薄膜;步骤2、对晶圆表面金属层进行第一次合金化退火处理;步骤3、对晶圆进行可接受度检查的电性测试,测量晶圆的多晶硅栅极电阻是否达到标准值;若晶圆的多晶硅栅极电阻达到标准值,则可进行晶圆外观检测,然后包装出货;若晶圆的多晶硅栅极电阻偏低而未达到标准值,则继续进行步骤4;步骤4、对晶圆表面金属层进行第二次合金化退火处理,以提高晶圆的多晶硅栅极电阻,在完成晶圆第二次合金化退火处理流程之后,再进行晶圆外观检测,然后包装出货。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |