| 发明名称 | 高电阻低位错GaN薄膜及制备方法 | ||
| 摘要 | 一种高阻低位错GaN薄膜，包括：一衬底；一GaN低温成核层，其制作在衬底上；一GaN合并层，其制作在GaN低温成核层上；一GaN高阻层，其制作在GaN合并层上。本发明是通过控制反应室压强，实现非故意可控碳掺杂，从而达到既补偿背景载流子，提高材料电阻率的目的。通过控制生长初期的氨气流量，引入合并层，延长晶体三维生长到二维生长的过度时间，从而达到在保证材料高电阻率的前提下降低外延膜的位错密度，提高晶体质量的目的。 | ||
| 申请公布号 | CN103887326A | 申请公布日期 | 2014.06.25 |
| 申请号 | CN201410089597.1 | 申请日期 | 2014.03.07 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 何晓光;赵德刚;江德生;刘宗顺;陈平;杨静;乐伶聪;李晓静;杨辉 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种高阻低位错GaN薄膜，包括： 一衬底； 一GaN低温成核层，其制作在衬底上； 一GaN合并层，其制作在GaN低温成核层上； 一GaN高阻层，其制作在GaN合并层上。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||