非挥发性记忆体及其制作方法

摘要

本发明是有关于一种非挥发性记忆体及其制作方法。该非挥发性记忆体包括栅极结构、掺杂区、电荷储存层以及第一介电层。栅极结构配置于基底上。栅极结构二侧的基底中具有凹陷。栅极结构包括栅介电层与栅极。栅介电层配置于基底上，且栅介电层与基底之间具有界面。栅极配置于栅介电层上。掺杂区配置于凹陷周围的基底中。电荷储存层配置于凹陷中,且电荷储存层的顶面高于上述的界面。第一介电层配置于电荷储存层与基底之间以及电荷储存层与栅极结构之间。

主权项

一种非挥发性记忆体，其特征在于其包括：栅极结构，配置于基底上，所述栅极结构二侧的所述基底中具有凹陷，所述栅极结构包括：栅介电层，配置于所述基底上，所述栅介电层与所述基底之间具有界面；及栅极，配置于所述栅介电层上；掺杂区，配置于所述凹陷周围的所述基底中；电荷储存层，配置于所述凹陷中，且所述电荷储存层的顶面高于所述界面；以及第一介电层，配置于所述电荷储存层与所述基底之间以及所述电荷储存层与所述栅极结构之间。