| 发明名称 | 多层存储装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种多层存储装置。所述多层存储装置包括两个或更多的存储单元和布置在所述两个或更多的存储单元中的每个之间的有源电路单元。有源电路单元包括解码器。每个存储单元包括一个或更多的存储层。每个存储层包括存储阵列。 | ||
| 申请公布号 | CN101388236B | 申请公布日期 | 2014.06.25 |
| 申请号 | CN200810213119.1 | 申请日期 | 2008.09.12 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 朴宰彻;权奇元;朴永洙;李承勋;安承彦 |
| 分类号 | G11C5/02(2006.01)I;G11C8/10(2006.01)I | 主分类号 | G11C5/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 韩明星;罗延红 |
| 主权项 | 一种多层存储装置，包括：两个或两个以上的存储单元；有源电路单元，布置在所述两个或两个以上的存储单元中的每个之间，每个有源电路单元包括解码器；逻辑单元，包括逻辑电路，并选择有源电路单元中的一个或多个，其中，所述两个或两个以上的存储单元和有源电路单元堆叠在逻辑单元上，其中，解码器包括列解码器和行解码器中的至少一个，其中，列地址线将列解码器通过通路连接到所述两个或两个以上的存储单元，行地址线将行解码器通过通路连接到所述两个或两个以上的存储单元。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416 | ||