用于有机半导体器件中的二酮基吡咯并吡咯聚合物

摘要

本发明涉及包含一个或多个式A聚合物的(重复)单元的聚合物，该式A聚合物包含式(1)和(2)的(重复)单元，其中A为式(I)的重复单元，以及-COM¹-为式(3)或(4)的重复单元，以及它们在有机器件中，尤其是在有机光生伏打器件(太阳能电池)和光电二极管中，或者在含有二极管和/或有机场效应晶体管的器件中作为有机半导体的用途。本发明聚合物在有机溶剂中具有优异的溶解性以及优异的成膜性能。此外，当将本发明聚合物用于有机场效应晶体管、有机光生伏打器件(太阳能电池)和光电二极管中时，可以观察到高能量转换效率、优异的场效应迁移率、良好的开/关电流比和/或优异的稳定性。

主权项

1.一种包含式以及任选地的(重复)单元的聚合物，其中A为下式的重复单元：其中a为1、2或3，a’为0、1、2或3；b为0、1、2或3；b’为0、1、2或3；c为0、1、2或3；c’为0、1、2或3；d为0、1、2或3；d’为0、1、2或3；条件是若a’为0，则b’不为0；R¹和R²可以相同或不同且选自氢，C₁-C₁₀₀烷基，-COOR¹⁰³，被一个或多个卤原子、羟基、硝基、-CN或C₆-C₁₈芳基取代和/或被-O-、-COO-、-OCO-或-S-间隔的C₁-C₁₀₀烷基，C₇-C₁₀₀芳基烷基，氨基甲酰基，可以被C₁-C₈烷基和/或C₁-C₈烷氧基取代1-3次的C₅-C₁₂环烷基，C₆-C₂₄芳基，-CR¹⁰¹R¹⁰²-(CH₂)_u-A³，其中R¹⁰¹和R¹⁰²表示氢或C₁-C₄烷基，A³表示可以被C₁-C₈烷基和/或C₁-C₈烷氧基取代1-3次的苯基或1-或2-萘基，并且u表示0、1、2或3，或五氟苯基，R¹⁰³为C₁-C₅₀烷基；Ar¹和Ar^1’相互独立地为Ar²、Ar^2’、Ar³、Ar^3’、Ar⁴和Ar^4’具有Ar¹的含义，或者相互独立地为其中X³和X⁴之一为N且另一个为CR⁹⁹，R⁹⁹、R¹⁰⁴和R^104’相互独立地为氢，F，或可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C₁-C₂₅烷基，C₇-C₂₅芳基烷基或C₁-C₂₅烷氧基，R¹⁰⁵和R^105’相互独立地为氢、卤素、可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C₁-C₂₅烷基、C₇-C₂₅芳基烷基或C₁-C₁₈烷氧基，R¹⁰⁷为H、C₆-C₁₈芳基、被C₁-C₁₈烷基或C₁-C₁₈烷氧基取代的C₆-C₁₈芳基、C₁-C₁₈烷基或被-O-间隔的C₁-C₁₈烷基；以及-COM¹-为式(Xm)的重复单元，-COM²-为不同于第一重复单元-COM¹-的第二重复单元-COM¹-，不同于第一重复单元-A-的第二重复单元-A-，或式的重复单元，其中X⁵和X⁶之一为N且另一个为CR¹¹⁴，R¹¹⁰为可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C₁-C₂₅烷基，C₇-C₂₅芳基烷基或C₁-C₂₅烷氧基，R¹¹¹、R^111’、R¹¹²和R^112’相互独立地为氢，F，或可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C₁-C₂₅烷基，C₇-C₂₅芳基烷基或C₁-C₂₅烷氧基，R¹¹³为C₆-C₁₈芳基、被C₁-C₁₈烷基或C₁-C₁₈烷氧基取代的C₆-C₁₈芳基、C₁-C₁₈烷基或被-O-间隔的C₁-C₁₈烷基；R¹¹⁴、R^114’、R¹¹⁵和R^115’相互独立地为H或可以任选被一个或多个氧原子间隔的C₁-C₂₅烷基；R³和R^3’相互独立地为氢、卤素、可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C₁-C₂₅烷基、C₇-C₂₅芳基烷基或C₁-C₂₅烷氧基；R⁵和R^5’相互独立地为氢、卤素、可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C₁-C₂₅烷基、可以任选被C₁-C₈烷基和/或C₁-C₈烷氧基取代1-3次的C₆-C₂₄芳基、C₇-C₂₅芳基烷基、CN或C₁-C₂₅烷氧基；或R⁵和R^5’一起成环，R⁵⁵和R^55’相互独立地为H、F、C₁-C₁₈烷基、被O间隔的C₁-C₁₈烷基、C₁-C₁₈烷氧基、被O间隔的C₁-C₁₈烷氧基、C₁-C₁₈全氟烷基，可以任选被C₁-C₈烷基和/或C₁-C₈烷氧基取代1-3次的C₆-C₂₄芳基、可以任选被C₁-C₈烷基和/或C₁-C₈烷氧基取代1-3次的C₂-C₂₀杂芳基；R⁸和R^8’相互独立地为氢，C₆-C₁₈芳基，可以被C₁-C₁₈烷基或C₁-C₁₈烷氧基取代的C₆-C₁₈芳基，可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C₁-C₂₅烷基，或C₇-C₂₅芳基烷基，R⁹为可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C₁-C₂₅烷基、C₁-C₂₅全氟烷基、C₁-C₂₅烷氧基或CN，R¹¹和R^11’相互独立地为C₁-C₃₅烷基、C₇-C₂₅芳基烷基或可以任选被C₁-C₈烷基和/或C₁-C₈烷氧基取代1-3次的苯基，条件是排除下列聚合物：M_n=22.7kg/mol；多分散性=2.1。