包括多个MQW区的MQW激光器结构

摘要

提供了包括有源和/或无源MQW区的多量子阱激光器结构。每个MQW区包括多个量子阱和介于其间的势垒层。毗邻的MQW区被间隔层分开，间隔层比介于MQW之间的势垒层厚。量子阱的带隙低于介于其间的势垒层和间隔层的带隙。有源区可包括有源和无源MQW，且被配置用于光子的电泵浦受激发射，或它可包括被配置用于光子的光泵浦受激发射的有源MQW区。

主权项

一种多量子阱激光二极管，包括激光器衬底、半导体有源区、波导区以及包覆区，其特征在于：所述有源区包括至少一个有源MQW区和至少一个无源MQW区；所述有源MQW区被配置用于光子的电泵浦受激发射；所述无源MQW区中量子阱的带隙接近但高于所述有源MQW区的激射光子能量，并且所述无源MQW区在所述有源MQW区的激射光子能量下是光学透明的；每个所述MQW区包括多个量子阱和介于其间的势垒层厚度为a的势垒层；毗邻的MQW区被间隔层厚度为b的间隔层分开；所述间隔层厚度b大于所述势垒层厚度a；所述量子阱的带隙低于介于其间的势垒层和间隔层的带隙；以及各个有源区、波导区以及包覆区被形成为所述激光器衬底上的多层二极管，以使所述波导区引导来自所述有源区的受激光子发射，且所述包覆区促进所发射光子在所述波导区中的传播。