IGZO薄膜晶体管及改善IGZO薄膜晶体管电学性能的方法

摘要

本发明提供了一种IGZO薄膜层晶体管及改善IGZO薄膜层晶体管电学性能的方法，包括以下步骤：提供一半导体结构，所述半导体结构包括一衬底，所述衬底之上部分表面形成有金属栅，所述金属栅及衬底上表面覆盖有一栅氧化层；制备一IGZO薄膜层覆盖于所述栅氧化层上方，刻蚀所述IGZO薄膜层形成有源层和像素电极区，在所述IGZO薄膜层上方依次形成源电极、漏电极和钝化层；其中，在刻蚀所述IGZO薄膜层形成有源层后，采用等离子处理工艺对所述IGZO薄膜层表面进行处理。本发明通过采用含氧等离子体和UV辐射对IGZO薄膜层进行处理，改善IGZO薄膜的氧含量，减少IGZO薄膜与栅氧化层之间晶格缺陷，同时还可消除IGZO薄膜表面的杂质及缺陷，提高器件性能。

主权项

一种改善IGZO薄膜晶体管电学性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体结构，所述半导体结构包括一衬底，所述衬底之上部分表面形成有金属栅，所述金属栅及衬底上表面覆盖有一栅氧化层；制备一IGZO薄膜层覆盖于所述栅氧化层上方，刻蚀所述IGZO薄膜层形成有源层和像素电极区，在所述IGZO薄膜层上方依次形成源电极、漏电极和钝化层；其中，在刻蚀所述IGZO薄膜层形成有源层后，采用等离子处理工艺对所述IGZO薄膜层表面进行处理。