发明名称 一种双平衡混频器的装置
摘要 本发明公开了一种双平衡混频器的装置,包括:混频器腔体、混频器电路、K型接头;混频器电路还包括:混频管、金带、金丝、50Ω共面波导、耦合槽线、60Ω槽线、介质基片、λ/8的短路线本发明采用K型头接口,选用50Ω共面波导作为信号端到耦合槽线的过渡,再通过耦合槽线渐变到60Ω槽线加到混频管上,选择金带耦合的方式由50Ω共面波导耦合到槽线,抵消了混频二极管的容性;采用共面波导、耦合槽线、槽线组成的魔T网络来实现宽带巴伦,不需要传输线的交错且具有很强的方向性,提高了隔离度;减轻了共面波导的色散效应;采用了金丝跨接的方式,抑制了高次模式的产生,防止了射频在共面波导中激励出耦合槽线的高次模式。
申请公布号 CN103888081A 申请公布日期 2014.06.25
申请号 CN201410100274.8 申请日期 2014.03.11
申请人 西安邮电大学 发明人 杨怿菲;尚建荣;张亚婷;樊宏;张薇薇;高敏;徐静萍;巩艳华;弓楠;刘智芳
分类号 H03D7/14(2006.01)I 主分类号 H03D7/14(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种双平衡混频器的装置,其特征在于,该双平衡混频器的装置包括:混频器腔体、混频器电路、K型接头;混频器电路设置在混频器腔体的内部,K型接头设置在混频器电路的左、右两侧; 混频器电路由以下器件组成:混频管、金带、金丝、50Ω共面波导、耦合槽线、60Ω槽线、介质基片、λ/8的短路线;混频管垂直对称设置在混频器内部,λ/8的短路线设置在混频管的下方,60Ω槽线设置在λ/8的短路线的下面,耦合槽线连接60Ω槽线,金带设置在耦合槽线和60Ω槽线之间,50Ω共面波导设置在金带的右侧,金丝设置在50Ω共面波导上,介质基片设置在混频器电路的内部。 
地址 710000 陕西省西安市雁塔区长安南路563号