发明名称 |
磁场电流传感器 |
摘要 |
本发明涉及磁场电流传感器。公开了电流传感器、导体和方法。一种磁电流传感器包括导体和集成电路(IC)管芯,所述导体包括:第一金属片层,其具有第一厚度并且包括从第一金属片层的第一边缘向内延伸的至少一个凹口;和第二金属片层,其具有小于第一厚度的第二厚度并且包括至少一个凹口,第二金属片层耦合到第一金属片层,使得第一金属片层的至少一个凹口通常与第二金属片层的至少一个凹口对准,所述集成电路(IC)管芯包括至少一个磁传感器元件并且耦合到导体,使得至少一个磁传感器元件通常与第二金属片层的至少一个凹口的尖端对准。 |
申请公布号 |
CN102236042B |
申请公布日期 |
2014.06.25 |
申请号 |
CN201110087852.5 |
申请日期 |
2011.04.08 |
申请人 |
英飞凌科技股份有限公司 |
发明人 |
U.奥泽勒赫纳 |
分类号 |
G01R19/00(2006.01)I;G01R15/20(2006.01)I |
主分类号 |
G01R19/00(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
王岳;蒋骏 |
主权项 |
一种磁电流传感器,包括:导体,其包括 第一金属片层,其具有第一厚度并且包括从所述第一金属片层的第一边缘向内延伸的至少一个凹口,以及 第二金属片层,其具有小于所述第一厚度的第二厚度并且包括至少一个凹口,所述第二金属片层耦合到所述第一金属片层,使得所述第一金属片层的所述至少一个凹口与所述第二金属片层的所述至少一个凹口对准以定义比第一金属片层中的电流路径长度短的所述导体中的最小电流路径长度;以及集成电路(IC)管芯,其包括至少一个磁传感器元件并且耦合到所述导体,使得所述至少一个磁传感器元件与所述第二金属片层的所述至少一个凹口的尖端对准。 |
地址 |
德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号 |