发明名称 |
真空处理装置 |
摘要 |
本发明提供一种在高真空领域中也能够抑制电子束发散、防止蒸发率降低且稳定地成膜的真空处理装置。真空处理装置(蒸镀装置)(1)具有真空蒸镀室(50)、电子枪(20)和电子束聚集机构(150)。所述真空蒸镀室(50)中,设置有容纳蒸发材料(31)的蒸发源以及该蒸发材料(31)被加热并作为蒸镀膜被蒸镀的被处理部件(10)。所述电子枪与所述真空蒸镀室邻接设置,并发射对所述蒸发材料(31)加热的电子束。所述电子束聚集机构(150)设置于所述真空蒸镀室(50)内,对从电子枪(50)射出的所述电子束进行聚集。 |
申请公布号 |
CN102762762B |
申请公布日期 |
2014.06.25 |
申请号 |
CN201180010394.3 |
申请日期 |
2011.02.16 |
申请人 |
株式会社爱发科 |
发明人 |
饭岛荣一;池田裕人;矶佳树 |
分类号 |
C23C14/30(2006.01)I;H01J37/06(2006.01)I;H01J37/065(2006.01)I;H01J37/10(2006.01)I;H01J37/147(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/30(2006.01)I |
代理机构 |
北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 |
代理人 |
蒋雅洁;孟桂超 |
主权项 |
一种真空处理装置,包括:处理室,设置有处理对象物,且能够维持真空气氛;电子枪,与所述处理室邻接设置,射出对所述处理对象物进行加热的电子束;电子束聚集机构,设置于所述真空处理室内,对从所述电子枪射出的所述电子束进行聚集,所述电子束聚集机构具有:至少一个聚集线圈;传感器,测定所述电子束的通过点的温度;控制部,基于所述传感器的测定结果,对供给至所述聚集线圈的电流值或所述电子束聚集机构内的压力进行控制。 |
地址 |
日本神奈川县 |