一种适用于深槽超结器件的结终端及其制备方法

摘要

本发明揭示了一种适用于深槽超结器件的结终端及其制备方法，所述结终端包括半导体基底、第一电极、半导体区域、第二电极。第一电极形成于半导体基底的下端面；半导体区域形成于半导体基底的上端面，其具有第一导电类型，半导体区域包括有源区域、第一终端区域、第二终端区域。有源区域设有多个第一沟槽，第一沟槽内填充具有第二导电类型的半导体材料；第一终端区域设有多个第三沟槽，第三沟槽内填充具有第二导电类型的半导体材料；第二终端区域设有至少一个第二沟槽，第二沟槽内为具有高介电常数的绝缘材料。第二电极连接有源区域的第一沟槽，覆盖在有源区域、第一终端区域、第二终端区域之上。本发明结终端可改善结终端器件耐高压特性。

主权项

一种适用于深槽超结器件的结终端，其特征在于，所述结终端包括：半导体基底；第一电极，形成于所述半导体基底的下端面；半导体区域，形成于所述半导体基底的上端面，其具有第一导电类型，所述半导体区域包括：‑有源区域，设有多个第一沟槽，第一沟槽内填充具有第二导电类型的半导体材料；‑第一终端区域，设有多个第三沟槽，第三沟槽内填充具有第二导电类型的半导体材料；‑第二终端区域，设有至少一个第二沟槽，第二沟槽内为具有高介电常数的绝缘材料；第二电极，其连接有源区域的第一沟槽，覆盖在所述有源区域、第一终端区域、第二终端区域之上。