| 发明名称 | 一种提升单晶硅生长速度的导流筒 | ||
| 摘要 | 一种提升单晶硅生长速度的导流筒，包括内导流筒、外导流筒，内导流筒与外导流筒之间设有隔热碳毡，所述内导流筒的外侧、外导流筒的内侧铺设有热辐射反射层。所述内导流筒的外侧、外导流筒的内侧构成一密封的腔体，隔热碳毡位于密封的腔体内。本发明一种提升单晶硅生长速度的导流筒，将硅棒和加热器辐射到导流筒上的热量均能及时传递走，加速了晶棒的冷却，实现拉晶速度的显著提高。提升生产效率的同时，降低能耗。另外，热辐射反射层由内、外导流筒将其封闭，杜绝了杂质对拉晶的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN103882510A | 申请公布日期 | 2014.06.25 |
| 申请号 | CN201210564957.X | 申请日期 | 2012.12.24 |
| 申请人 | 九州方园新能源股份有限公司 | 发明人 | 刘代军;黄华 |
| 分类号 | C30B15/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | C30B15/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人 | 成钢 |
| 主权项 | 一种提升单晶硅生长速度的导流筒，包括内导流筒（1）、外导流筒（2），内导流筒（1）与外导流筒（2）之间设有隔热碳毡（4），其特征在于，所述内导流筒（1）的外侧、外导流筒（2）的内侧铺设有热辐射反射层（3）。 | ||
| 地址 | 443300 湖北省宜昌市宜都市红花套镇光伏产业园区 | ||