发明名称 |
大型相移掩模及大型相移掩模的制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种作为曝光大尺寸区域的大型光掩模且适合形成微细图案的构成的相移掩模及其制造方法。藉由构成为遮光膜以铬或铬化合物为主成分,相移膜以氧化铬乃至氮氧化铬为主成分,且在上述遮光区域中在遮光膜上层叠有相移膜,而获得容易制造且可转印微细图案的大型相移掩模。另外,在遮光膜与相移膜之间,构成为还具有包含铬化合物的抗反射膜,抑制遮光区域的反射率。 |
申请公布号 |
CN103890657A |
申请公布日期 |
2014.06.25 |
申请号 |
CN201280051359.0 |
申请日期 |
2012.10.19 |
申请人 |
大日本印刷株式会社 |
发明人 |
木下一树;飞田敦;二岛悟 |
分类号 |
G03F1/26(2006.01)I;G03F1/46(2006.01)I |
主分类号 |
G03F1/26(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
雒运朴 |
主权项 |
一种大型相移掩模,其是具备透明基板、形成在所述透明基板上的遮光膜、及形成在所述透明基板上的半透明的相移膜的相移掩模,其特征在于,所述相移掩模具备:露出所述透明基板的透射区域、在所述透明基板上设置有所述遮光膜的遮光区域、及在所述透明基板上仅设置有所述相移膜的相移区域,并且所述相移掩模具备:所述透射区域与所述相移区域邻接的图案,且在所述透射区域与所述遮光区域之间邻接地配置有相移区域,透过所述相移区域的曝光光相对于透过所述透射区域的曝光光相位反转;所述遮光膜以铬或铬化合物为主成分,所述相移膜以氧化铬或氮氧化铬为主成分,且在所述遮光区域中,在遮光膜上层叠有相移膜。 |
地址 |
日本国东京都 |