在超高纵横比电介质刻蚀中减少扭曲

摘要

一种刻蚀包含于基板的电介质层的装置。刻蚀反应器包含上电极和下电极。刻蚀气体源供应刻蚀气体到该刻蚀反应室。第一射频(RF)电源产生具有第一频率的第一RF功率并供应该第一RF功率到该刻蚀反应室，其中该第一频率在100千赫兹(kHz)到600kHz之间。第二RF电源产生具有第二频率的第二RF功率并供应该第二RF功率到该刻蚀反应室，其中该第二频率至少为10兆赫兹(MHz)。

主权项

一种刻蚀基板上的电介质层的装置，包含：包含上电极和下电极的刻蚀反应室；供应刻蚀气体到该刻蚀反应室的刻蚀气体源；第一射频(RF)电源，以产生具有第一频率的第一射频功率并供应该第一射频功率到该刻蚀反应室，其中该第一频率在200千赫兹(kHz)到600kHz之间；第二射频电源，以产生具有第二频率的第二射频功率并供应该第二射频功率到该刻蚀反应室，其中该第二频率至少为10兆赫兹(MHz)；以及控制器，其中该控制器连接于该刻蚀气体源、该第一RF电源、该第二RF电源和该下电极，其包含：处理器；以及配置为执行以下步骤的装置：将该刻蚀气体传送入该刻蚀反应室；将该第一RF功率传送入该刻蚀反应室，其中该第一RF功率具有200kHz到600kHz之间的该第一频率；将该第二RF功率传送入该刻蚀反应室，其中该第二RF功率具有至少10MHz的频率；以及在至少一个具有深度／宽度比至少为15比1的特征被刻入该电介质层之后，停止将刻蚀气体、该第一RF功率和该第二RF功率传送入该刻蚀反应室。