发明名称 | 一种高纯纳米硅的制备方法及其应用 | ||
摘要 | 本发明公开了一种高纯纳米硅的制备方法,以氯化钙或含有氯化钙的混合熔盐作为电解液,以二氧化硅或石英置于金属集流体内作为阴极,以石墨或惰性电极作为阳极,在一定电解温度及惰性气体保护下,采用参比电极控制电解电位,进行恒电位电解,即可得到所需产物高纯纳米硅。本发明还公开了上述高纯纳米硅的应用。本制备方法电解效率高,其电解效率大于70%,但能耗远远低于工业上炭热法制硅的能耗;另外,工业上的炭热法制备单质硅产生了大量的碳氧化物排放,并消耗了大量木炭,本发明方法无需使用木炭为还原剂,并采用惰性阳极,阳极放出的为氧气,从而实现了零排放;最后本发明的方法得到的产物纯度高。 | ||
申请公布号 | CN103882465A | 申请公布日期 | 2014.06.25 |
申请号 | CN201410077664.8 | 申请日期 | 2014.03.05 |
申请人 | 江苏华富储能新技术股份有限公司;武汉大学 | 发明人 | 汪的华;肖巍;魏迪;周寿斌;李超 |
分类号 | C25B1/00(2006.01)I | 主分类号 | C25B1/00(2006.01)I |
代理机构 | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人 | 柏尚春 |
主权项 | 一种高纯纳米硅的制备方法,其特征在于:以氯化钙或含有氯化钙的混合熔盐作为电解液,以二氧化硅或石英置于金属集流体内作为阴极,以石墨或惰性电极作为阳极,在一定电解温度及惰性气体保护下,采用参比电极控制电解电位,进行恒电位电解,即可得到所需产物高纯纳米硅。 | ||
地址 | 225600 江苏省扬州市高邮市高邮镇工业集中区 |