发明名称 用于太阳能电池制造的背接点通孔形成工艺
摘要 本发明的实施例提及高效率太阳能电池的形成,高效率太阳能电池的形成利用激光图案化工艺以在太阳能电池基板的表面上的钝化层中形成开口。在一个实施例中,在太阳能电池基板上的钝化层中形成开口的方法包括:在基板的背面上形成钝化层,基板具有在基板的背面上的第一类型的掺杂原子以及在基板的正面上的第二类型的掺杂原子;及提供一系列激光脉冲至钝化层达约500皮秒与约80奈秒之间以在钝化层中形成开口。
申请公布号 CN103890978A 申请公布日期 2014.06.25
申请号 CN201280052371.3 申请日期 2012.10.08
申请人 应用材料公司 发明人 M·P·斯图尔特;J·L·富兰克林
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 黄嵩泉
主权项 一种在太阳能电池基板上的钝化层中形成开口的方法,包括:在基板的背面上形成钝化层,所述基板具有在所述基板的所述背面上的第一类型的掺杂原子以及在所述基板的正面上的第二类型的掺杂原子;及提供一系列激光脉冲至所述钝化层达约500皮秒与约80奈秒之间以在所述钝化层中形成数个开口。
地址 美国加利福尼亚州