| 发明名称 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种阵列基板的制造方法，该阵列基板包括栅极驱动电路，该栅极驱动电路包括多个薄膜晶体管以及连接相邻两个薄膜晶体管的连接栅线，其中，所述制造方法包括：S1、形成包括所述薄膜晶体管的栅极和所述连接栅线的图形；S2、形成栅绝缘层；S3、形成包括栅线保护层的图形，所述栅线保护层位于所述连接栅线上方；S4、形成包括所述薄膜晶体管的源极和漏极的图形。本发明还提供一种利用上述制造方法制得的阵列基板和一种显示装置。在利用所述制造方法制造的阵列基板中，连接栅线具有较好的完整性。 | ||
| 申请公布号 | CN103887236A | 申请公布日期 | 2014.06.25 |
| 申请号 | CN201410098777.6 | 申请日期 | 2014.03.17 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 | 发明人 | 谢振宇 |
| 分类号 | H01L21/77(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/77(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 彭瑞欣;陈源 |
| 主权项 | 一种阵列基板的制造方法，该阵列基板包括栅极驱动电路，该栅极驱动电路包括多个薄膜晶体管以及连接相邻两个薄膜晶体管的连接栅线，其特征在于，所述制造方法包括：S1、形成包括所述薄膜晶体管的栅极和所述连接栅线的图形；S2、形成栅绝缘层；S3、形成包括栅线保护层的图形，所述栅线保护层位于所述连接栅线上方；S4、形成包括所述薄膜晶体管的源极和漏极的图形。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||