ZnO纳米棒发光二极管及其制作方法

摘要

一种ZnO纳米棒发光二极管，包括：一衬底；一p-GaN层，该p-GaN层制作在衬底上；一ZnO纳米棒阵列，该ZnO纳米棒阵列制作在p-GaN层上面的一侧，另一侧为台面；一石墨烯层，该石墨烯层制作在ZnO纳米棒阵列上；一上电极，该上电极制作在石墨烯层的一侧边缘上；一下电极，该下电极制作在p-GaN层一侧的台面上。石墨烯具有高达97％的可见光透射率和优异的导电性及机械性能，可以自然铺展于纳米棒之间而不轻易断裂，形成良好的接触和连接作用，因此是一种良好的透明电极材料。将化学气相沉积生长的大面积连续石墨烯转移到ZnO纳米棒阵列的上方，石墨烯在ZnO纳米棒的支撑下自然铺展，简单地形成发光二极管的电极层，同时还能起到电流扩展层的作用。

主权项

一种ZnO纳米棒发光二极管的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上生长一p‑GaN层；步骤2：在p‑GaN层上面的一侧制备一ZnO纳米棒阵列，另一侧为台面；步骤3：取一铜衬底，在其上使用化学气相沉积的方法生长连续的石墨烯层；步骤4：在石墨烯层上涂布一层PMMA，作为机械支撑膜；步骤5：腐蚀去除石墨烯层的铜衬底；步骤6：将石墨烯层清洗后覆盖到ZnO纳米棒阵列上；步骤7：在室温下晾干，采用丙酮溶解石墨烯层上的PMMA，反复清洗；步骤8：在石墨烯层上的一侧边缘制备上电极；步骤9：在p‑GaN层一侧的台面上制备下电极，完成ZnO纳米棒发光二极管的制作。