| 发明名称 | 一种钛硅化合物的非原位制程方法 | ||
| 摘要 | 一种钛硅化合物的非原位制程方法，分别在PVD沉积系统中沉积Ti和在CVD沉积系统中沉积TiN，将RTA过程提前到沉积TiN之前进行，这样就释放了沉积过程中产生的应力，消除了钛硅化合物中的空洞，本发明改善了钛硅化合物的结构，提高了钛硅化合物的质量，降低了接触电阻，提升了产品良率。 | ||
| 申请公布号 | CN103887158A | 申请公布日期 | 2014.06.25 |
| 申请号 | CN201210557492.5 | 申请日期 | 2012.12.20 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 孙琪;孙艳;邓咏桢;时廷 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人 | 张静洁;徐雯琼 |
| 主权项 | 一种钛硅化合物的非原位制程方法，其特征在于，包含以下步骤：步骤1、采用IMP离子化金属电浆方式沉积Ti；步骤2、进行RTA快速热处理；步骤3、采用CVD化学气相沉积方式沉积TiN；步骤4、采用CVD化学气相沉积方式沉积W。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||