| 摘要 |
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania nanosłupków azotku galu (GaN) na ściśle określonym obszarze powierzchni GaN. W sposobie tym, najpierw na powierzchni azotku galu GaN, za pomocą litografii, i osadzania warstwy metalicznej, określa się obszary, w których wytworzone zostaną nanosłupki. Następnie powierzchnię GaN wraz z warstwą metaliczną trawi się plazmą indukcyjnie sprzężoną o składzie Cl2/BCl3, przy zerowym napięciu na dolnej elektrodzie reaktora. |
