发明名称 利用掺杂或化合之金属氧化物半导体产生薄膜电晶体阵列的整合制程系统与制程顺序
摘要
申请公布号 TWI442574 申请公布日期 2014.06.21
申请号 TW098109408 申请日期 2009.03.23
申请人 应用材料股份有限公司 美国 发明人 叶雁
分类号 H01L29/786;H01L21/336 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项
地址 美国