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发明名称 用于制备化合物半导体基底的方法
摘要
申请公布号 TWI442454 申请公布日期 2014.06.21
申请号 TW097138559 申请日期 2008.10.07
申请人 希尔创股份有限公司 南韩 发明人 李浩准;金容进;李东键;金杜洙;金知勋
分类号 H01L21/20 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项
地址 南韩
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