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发明名称 半导体光电元件之高反射性接触电极及其制作方法
摘要
申请公布号 TWI442607 申请公布日期 2014.06.21
申请号 TW099139866 申请日期 2010.11.19
申请人 国立中央大学 桃园县中坜市中大路300号 发明人 陈一尘
分类号 H01L33/62 主分类号 H01L33/62
代理机构 代理人 吴济行 台中市北区青岛一街37之2号
主权项
地址 桃园县中坜市中大路300号
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