| 摘要 |
1. Ячейка (1) для фотоэлектронного умножителя на основе кремния, содержащая:-первый слой (2) первого типа проводимости,-второй слой (3) второго типа проводимости, сформированный на первом слое (2), причем-первый слой (2) и второй слой (3) формируют первый p-n переход,отличающаяся тем, что-ячейка дополнительно обработана с помощью этапа ионной имплантации, причем параметры ионной имплантации выбраны так, что благодаря повреждению кристаллической решетки, вызванному имплантацией, длина поглощения инфракрасного света с длиной волны в интервале от ~ 800 нм до 1000 нм снижена.2. Ячейка по п.1, в которой этап ионной имплантации содержит дозу ионов в интервале 10-10сми энергию ионов в интервале 1 МэВ-10 МэВ.3. Ячейка по п.1, в которой этап ионной имплантации сопровождается этапом отжига.4. Ячейка по п.3, в которой этап отжига проводят при температуре в интервале 300°C-1000°C продолжительностью 10 с или дольше.5. Ячейка по одному или более из пп. 1-4, дополнительно содержащая:подложку (21) второго типа проводимости,легированный скрытый слой (22) первого типа проводимости,причем подложка (21) и легированный скрытый слой (22) формируют второй p-n переход.6. Ячейка для фотоэлектронного умножителя на основе кремния, содержащая:-первый слой (2) первого типа проводимости,-второй слой (3) второго типа проводимости, сформированный на первом слое (2), причем-первый слой (2) и второй слой (3) формируют первый p-n переход,отличающаяся тем, что-ячейка дополнительно обработана с помощью этапа ионной имплантации, содержащего дозу ионов в интервале 10-10сми энергию ионов в интервале 1 МэВ-10 МэВ.7. Ячейка по п.6, в которой этап ионной имплантации сопровождается этапом отжига.8. Ячейка по п. |
