LASER-CRYSTALLIZATION MEHOD OF AMORPHOUS SILICON LAYERS FOR PRODUCTION OF MICRO- AND POLY-SILICON SOLAR CELLS
摘要
Izgudrojums attiecas uz gaismas starojuma enerģijas pārveidotājiem elektriskajā enerģijā, konkrēti - uz jaunu augstas efektivitātes vienotu tehnoloģiju mikro- un polikristālisku silīcija plāno kārtiņu saules šūnu ražošanai. Atšķirībā no esošajiem piedāvātais saules šūnas iegūšanas paņēmiens ir tehnoloģiski racionalizēts, sadalot to divās secīgās procedūrās. Pirmā procedūra ir amorfa silīcija visu funkcionālo slāņu uzklāšana uz stikla pamatnes. Otrā procedūra ir saules šūnas funkcionālo slāņu iegūšana ar selektīvu amorfo silīcija slāņu lāzera apstrādi (kristalizāciju un dopēšanu). Tā noslēdzas ar slāņu virsmas metalizāciju un kontaktu uznešanu saules šūnai. Izgudrojumā ietverti trīs paņēmieni: viens mikrosilīcija iegūšanai un divi polisilīcija saules šūnas iegūšanai. Mikrosilīcija saules šūnas iegūšana ietver visu amorfa silīcija slāņu iegūšanu vienā procedūrā, lietojot PECVD tehnoloģiju, un sekojošu visu slāņu vienlaicīgu kristalizāciju ar impulsu Nd-YAG lāzeru. Polisilīcija saules š
申请公布号
LV14879(A)
申请公布日期
2014.06.20
申请号
LV20130000179
申请日期
2013.11.13
申请人
LATVIJAS UNIVERSIT&Amacr,TES CIETVIELU FIZIKAS INSTIT&Umacr,TS