| 发明名称 | 用于实现超薄和其他低Z产品的焊盘侧加强电容器 | ||
| 摘要 | 本申请公开了用于实现超薄和其他低Z产品的焊盘侧加强电容器。本文通常描述了用于最小化超薄IC封装的产品的系统、设备和方法的实施例。在一些实施例中，装置包括安装在封装基底上的IC，以及安装在封装基底上的电容性加强件子组件。电容性加强件子组件包括电连接至IC的触点的多个电容性元件。 | ||
| 申请公布号 | CN103872026A | 申请公布日期 | 2014.06.18 |
| 申请号 | CN201310659460.0 | 申请日期 | 2013.12.09 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | M·K·罗伊;M·J·曼努沙洛 |
| 分类号 | H01L23/64(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/64(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 何焜 |
| 主权项 | 一种装置，包括：集成电路（IC），所述集成电路（IC）安装在IC封装基底上；电容性加强件子组件，所述电容性加强件子组件安装在IC封装基底上，其中所述电容性加强件子组件包括电连接至IC的触点的多个电容性元件。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||