| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：晶体管，设置在基底上并且包括第一掺杂区域；第一接触部，沿着第一方向从第一掺杂区域延伸；长通孔，设置在第一接触部上并且共同连接到彼此相邻的第一接触部；以及共导线，设置在长通孔上并且沿着与第一方向交叉的第二方向延伸。共导线使第一掺杂区域彼此电连接。 | ||
| 申请公布号 | CN103872014A | 申请公布日期 | 2014.06.18 |
| 申请号 | CN201310653224.8 | 申请日期 | 2013.12.05 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金昊俊;朴哲弘;都桢湖;沈相必;尹钟植;千宽永 |
| 分类号 | H01L23/538(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/538(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 刘灿强;王占杰 |
| 主权项 | 一种半导体装置，所述半导体装置包括：多个晶体管，位于基底上，所述多个晶体管包括第一掺杂区域；第一接触部，沿着第一方向从第一掺杂区域延伸；长通孔，位于第一接触部上，长通孔共同连接到彼此相邻的多个第一接触部；以及；共导线，位于长通孔上并且沿着与第一方向交叉的第二方向延伸，共导线通过长通孔和所述多个第一接触部使第一掺杂区域彼此电连接。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||