发明名称 |
包括半导体二极管的晶体管单元阵列 |
摘要 |
包括半导体二极管的晶体管单元阵列。半导体装置的一个实施例包括密集沟槽晶体管单元阵列。密集沟槽晶体管单元阵列包括在半导体本体中的多个晶体管单元。多个晶体管单元中的每个的晶体管台面区域的宽度w<sub>3</sub>和多个晶体管单元的每个的第一沟槽的宽度w<sub>1</sub>满足下面的关系:w<sub>3</sub><1.5×w<sub>1</sub>。半导体装置进一步包括半导体二极管。半导体二极管中的至少一个被布置在多个晶体管单元的第一和第二部分之间并且包括邻接第二沟槽的相对壁的二极管台面区域。第一沟槽的深度d<sub>1</sub>和第二沟槽的深度d<sub>2</sub>相差至少20%。 |
申请公布号 |
CN103872042A |
申请公布日期 |
2014.06.18 |
申请号 |
CN201310691281.5 |
申请日期 |
2013.12.17 |
申请人 |
英飞凌科技股份有限公司 |
发明人 |
P.内勒;M.聪德尔 |
分类号 |
H01L27/02(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
马丽娜;徐红燕 |
主权项 |
一种半导体装置,包括:密集沟槽晶体管单元阵列,其包括在半导体本体中的多个晶体管单元,其中所述多个晶体管单元中的每个的晶体管台面区域的宽度w<sub>3</sub>和所述多个晶体管单元中的每个的第一沟槽的宽度w<sub>1</sub>满足下面的关系:w<sub>3</sub> < 1.5 × w<sub>1</sub>;半导体二极管,其中半导体二极管中的至少一个被布置在所述多个晶体管单元的第一和第二部分之间并且包括邻接第二沟槽的相对壁的二极管台面区域;并且其中所述第一沟槽的深度d<sub>1</sub>和所述第二沟槽的深度d<sub>2</sub>相差至少20%。 |
地址 |
德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号 |