热自旋扭矩传输磁阻随机存取存储器

摘要

一种热自旋扭矩传输磁阻随机存取存储器（MRAM）装置包括磁隧道结和隧道结编程电路。磁隧道结包括具有固定磁极性的参考层、隧道势垒层以及在隧道势垒层与参考层的相对侧上的自由层。自由层包括具有第一居里温度的第一层和具有不同于第一居里温度的第二居里温度的第二层。隧道结编程电路配置成施加通过磁隧道结的电流以在磁隧道结中产生写入温度且向磁隧道结的自由层进行写入。

主权项

一种热自旋扭矩传输磁阻随机存取存储器（MRAM）装置，包含：磁隧道结，包含具有固定磁极性的参考层、隧道势垒层以及在所述隧道势垒层与所述参考层的相对侧上的自由层，所述自由层包括具有第一居里温度的第一层和具有不同于所述第一居里温度的第二居里温度的第二层；以及隧道结编程电路，配置成施加通过所述磁隧道结的电流以在所述磁隧道结中产生写入温度且向所述磁隧道结的所述自由层进行写入。