发明名称 |
薄膜晶体管液晶显示器、阵列基板及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种薄膜晶体管液晶显示器、阵列基板及其制造方法,制造方法包括:步骤1、在基板上沉积栅金属薄膜,通过第一次构图工艺形成栅线和栅电极的图形;步骤2、在完成步骤1的基板上依次沉积栅绝缘层和半导体层,通过第二次构图工艺形成半导体层的图形,半导体层上的沟道区域保留光刻胶;步骤3、在完成步骤2的基板上依次沉积欧姆接触层、透明导电层和源漏层,剥离掉半导体层上保留的光刻胶,形成沟道区域的图形;步骤4、在完成步骤3的基板上沉积钝化层,通过第三次构图工艺形成欧姆接触层、像素电极、源电极、漏电极、数据线和钝化层的图形。本发明采用三次构图工艺实现阵列基板的制造,能够缩短生产时间,提高生产效率,降低生产成本。 |
申请公布号 |
CN102693938B |
申请公布日期 |
2014.06.18 |
申请号 |
CN201110095585.6 |
申请日期 |
2011.04.15 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
杨静 |
分类号 |
H01L21/77(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/77(2006.01)I |
代理机构 |
北京银龙知识产权代理有限公司 11243 |
代理人 |
黄灿;赵爱军 |
主权项 |
一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1、在基板上沉积栅金属薄膜,通过第一次构图工艺形成栅线和栅电极的图形;步骤2、在完成步骤1的基板上依次沉积栅绝缘层和半导体层,通过第二次构图工艺形成半导体层的图形,且半导体层上的沟道区域保留有光刻胶;步骤3、在完成步骤2的基板上依次沉积欧姆接触层、透明导电层和源漏层,剥离掉半导体层上保留的光刻胶,形成沟道区域的图形;步骤4、在完成步骤3的基板上沉积钝化层,通过第三次构图工艺形成欧姆接触层、像素电极、源电极、漏电极、数据线和钝化层的图形。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |