| 发明名称 | 半导体器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件及其形成方法。提供了一种形成半导体器件的方法。该方法包括提供一结构，该结构包括处理衬底、位于所述处理衬底的最上表面上方的掩埋氮化硼层、位于所述掩埋氮化硼层的最上表面上的掩埋氧化物层、以及位于所述掩埋氧化物层的最上表面上的顶部半导体层。接下来，将第一半导体衬垫、第二半导体衬垫和多条半导体纳米线构图到所述顶部半导体层中，所述半导体纳米线以梯子状构造连接所述第一半导体衬垫和所述第二半导体衬垫。通过从每条半导体纳米线下方去除所述掩埋氧化物层的一部分而使所述半导体纳米线悬置，其中所述掩埋氮化硼层的最上表面的一部分暴露。接下来，形成全包围栅场效应晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN103871894A | 申请公布日期 | 2014.06.18 |
| 申请号 | CN201310626171.0 | 申请日期 | 2013.11.28 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | G·科恩;M·A·古罗恩;A·格里尔;L·希 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 贺月娇;于静 |
| 主权项 | 一种形成半导体器件的方法，包括：提供一结构，该结构自下而上包括处理衬底、位于所述处理衬底的最上表面上方的掩埋氮化硼层、位于所述掩埋氮化硼层的最上表面上的掩埋氧化物层、以及位于所述掩埋氧化物层的最上表面上的顶部半导体层；将第一半导体衬垫、第二半导体衬垫和多条半导体纳米线构图到所述顶部半导体层中，所述半导体纳米线以梯子状构造连接所述第一半导体衬垫和所述第二半导体衬垫；通过从所述多条半导体纳米线中的每条半导体纳米线下方去除所述掩埋氧化物层的一部分而使每条半导体纳米线悬置，其中所述掩埋氮化硼层的最上表面的一部分暴露；以及形成包括包围每条半导体纳米线的栅极电介质和栅极的全包围栅场效应晶体管。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||