发明名称 |
利用介质膜掩膜板实现具有斜坡状边缘金属薄膜图形方法 |
摘要 |
本发明涉及的是一种基于介质膜掩膜板沉积工艺的斜坡边缘金属薄膜图形的制备方法,使用具有图形化通孔结构的薄层作为介质膜掩膜板进行金属薄膜的沉积,介质膜掩膜板和需要生长金属薄膜的衬底间的间距可调,产生的图形化金属薄膜具有斜坡状边缘,斜坡角度可根据需求控制;优点:金属薄膜上沿可平缓的降至衬底,其间高度不会有非连续性突变。在具有斜坡状边缘的金属薄膜上继续生长膜层时,膜层边缘结合力好,不会断裂或剥离。本发明中的金属薄膜生长方法基于介质膜掩膜板沉积工艺,斜坡的高度和倾角可通过改变介质膜掩膜板和衬底的间距来调节。具有工艺方法简单,加工方便,适合于大规模生产。 |
申请公布号 |
CN103864009A |
申请公布日期 |
2014.06.18 |
申请号 |
CN201410085670.8 |
申请日期 |
2014.03.11 |
申请人 |
中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
发明人 |
黄旼;朱健;郁元卫;吴璟;禹淼 |
分类号 |
B81C1/00(2006.01)I |
主分类号 |
B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 |
南京君陶专利商标代理有限公司 32215 |
代理人 |
沈根水 |
主权项 |
基于介质膜掩膜板沉积工艺的斜坡边缘金属薄膜图形的制备方法,其特征是使用具有图形化通孔结构的薄层作为介质膜掩膜板进行金属薄膜的沉积,介质膜掩膜板和需要生长金属薄膜的衬底间的间距可调,产生的图形化金属薄膜具有斜坡状边缘,斜坡角度可根据需求控制;具体包括如下工艺步骤:1)制备具有图形化通孔结构的介质膜掩膜板;2)将介质膜掩膜板和需要生长金属薄膜的衬底调整好间距,叠在一起,图形对准,然后固定;3)使用沉积的方法将金属薄膜材料通过介质膜掩膜板生长到衬底上;4)将介质膜掩膜板和衬底分开,衬底上形成和介质膜掩膜板上图形一致且具有斜坡状边缘的金属薄膜图形。 |
地址 |
210016 江苏省南京市中山东路524号 |