发明名称 一种Au修饰TiO<sub>2</sub>纳米棒阵列光阳极的制备方法
摘要 本发明涉及一种Au修饰TiO<sub>2</sub>纳米棒阵列光阳极的制备方法,在导电玻璃导电面预沉积贵金属Au纳米颗粒,后在其表面生长TiO<sub>2</sub>纳米阵列,最后在TiO<sub>2</sub>纳米棒表面进行Au量子点修饰的一种方法。利用水热合成法制备TiO<sub>2</sub>纳米棒阵列,增加了TiO<sub>2</sub>的比表面积,有序一维结构提高了电子的传输速率,促进了电子空穴的有效分离,减少了载流子的复合,进而增加了光电极的光催化效率和光分解水效率;利用金修饰后,大大提高了TiO<sub>2</sub>纳米棒在可见光区的吸收范围,增加了光电解水的效率,而且该制备方法制作工艺简单,简化了电极的实施工艺,利于大规模制备生产。该材料将在太阳能电池,光电解水制氢,光催化降解等方面具有巨大的应用潜力。
申请公布号 CN103872174A 申请公布日期 2014.06.18
申请号 CN201210552885.7 申请日期 2012.12.18
申请人 中国科学院大连化学物理研究所 发明人 俞红梅;李永坤;付丽;张长昆;邵志刚;衣宝廉
分类号 H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人 马驰
主权项 一种Au修饰TiO<sub>2</sub>纳米棒阵列光阳极的制备方法,其主要特征在于包括以下步骤:(1)预沉积Au过程如下:将洁净的FTO作为阳极,Pt电极或石墨电极作为对电极,饱和甘汞电极或银‑氯化银电极作为参比电极,在浓度为0.1mM‑10M的Au离子的前驱体溶液中进行三电极体系恒电流沉积,沉积电量控制在25mC/cm<sup>2</sup>‑500mC/cm<sup>2</sup>之间;(2)水热合成制备TiO<sub>2</sub>纳米棒阵列过程如下:将Au/FTO基底置于含Ti前驱体溶液的高压釜中,进行水热反应后,样品取出清洗,即在Au/FTO导电面生长有一层TiO<sub>2</sub>纳米棒阵列膜(TiO<sub>2</sub>/Au/FTO);(3)TiO<sub>2</sub>纳米棒表面担载Au过程如下:将TiO<sub>2</sub>/Au/FTO作为阳极,Pt电极作为对电极,饱和甘汞电极或银‑氯化银电极作为参比电极,在浓度为0.1mM‑10M的Au离子的前驱体溶液中进行三电极体系恒电流沉积,沉积电量控制在25mC/cm<sup>2</sup>‑500mC/cm<sup>2</sup>之间。
地址 116023 辽宁省大连市中山路457号
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