| 发明名称 | 非易失性存储器及其操作方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种非易失性存储器，包括：衬底，所述衬底中具有漏极；浮栅，设置于所述漏极一侧的所述衬底上；控制栅，设置于所述浮栅上；阈值电压提供单元，与所述控制栅相连，所述阈值电压提供单元具有至少一柵漏连接的晶体管，所述阈值电压提供单元用于向所述控制栅提供所述至少一柵漏连接的晶体管的阈值电压。本发明还揭示了一种非易失性存储器的操作方法。当对所述非易失性存储器进行读取操作时，所述阈值电压提供单元向所述控制栅提供所述至少一柵漏连接的晶体管的阈值电压，所述柵漏连接的晶体管的阈值电压的变化正好可以补偿所述漏极与浮栅之间导通电压的变化，从而避免温度的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN103871465A | 申请公布日期 | 2014.06.18 |
| 申请号 | CN201410097572.6 | 申请日期 | 2014.03.17 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 杨光军 |
| 分类号 | G11C16/02(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种非易失性存储器，其特征在于，所述非易失性存储器包括：衬底，所述衬底中具有漏极；浮栅，设置于所述漏极一侧的所述衬底上；控制栅，设置于所述浮栅上；阈值电压提供单元，与所述控制栅相连，所述阈值电压提供单元具有至少一柵漏连接的晶体管，所述阈值电压提供单元用于向所述控制栅提供所述至少一柵漏连接的晶体管的阈值电压。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||