发明名称 |
一种抑制氟硅玻璃晶体缺陷的方法 |
摘要 |
一种抑制氟硅玻璃晶体缺陷的方法,包括如下步骤:步骤一,在晶圆表面淀积一层氟硅玻璃;步骤二,对氟硅玻璃的上表面进行等离子处理,形成一层低氟氧化层;步骤三,用去离子水对晶圆进行冲洗;所述步骤一和所述步骤二在同一化学气相沉积反应舱中进行。本发明的有益效果是:氟硅玻璃淀积完成后,在同一腔体进行等离子处理,减少氟硅玻璃上表面的氟,抑制其亲水性,防止晶体缺陷,同时利用去离子水与表面少量的氟反应,形成氢氟酸,随后被冲洗出晶圆,进一步的巩固效果,提高器件的可靠性。 |
申请公布号 |
CN103871966A |
申请公布日期 |
2014.06.18 |
申请号 |
CN201410102247.4 |
申请日期 |
2014.03.19 |
申请人 |
武汉新芯集成电路制造有限公司 |
发明人 |
洪齐元;黄海 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
北京轻创知识产权代理有限公司 11212 |
代理人 |
杨立 |
主权项 |
一种抑制氟硅玻璃晶体缺陷的方法,包括如下步骤:步骤一,在晶圆表面淀积一层氟硅玻璃;步骤二,对氟硅玻璃的上表面进行等离子处理,形成一层低氟氧化层;步骤三,用去离子水对晶圆进行冲洗。 |
地址 |
430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号 |