发明名称 一种抑制氟硅玻璃晶体缺陷的方法
摘要 一种抑制氟硅玻璃晶体缺陷的方法,包括如下步骤:步骤一,在晶圆表面淀积一层氟硅玻璃;步骤二,对氟硅玻璃的上表面进行等离子处理,形成一层低氟氧化层;步骤三,用去离子水对晶圆进行冲洗;所述步骤一和所述步骤二在同一化学气相沉积反应舱中进行。本发明的有益效果是:氟硅玻璃淀积完成后,在同一腔体进行等离子处理,减少氟硅玻璃上表面的氟,抑制其亲水性,防止晶体缺陷,同时利用去离子水与表面少量的氟反应,形成氢氟酸,随后被冲洗出晶圆,进一步的巩固效果,提高器件的可靠性。
申请公布号 CN103871966A 申请公布日期 2014.06.18
申请号 CN201410102247.4 申请日期 2014.03.19
申请人 武汉新芯集成电路制造有限公司 发明人 洪齐元;黄海
分类号 H01L21/768(2006.01)I 主分类号 H01L21/768(2006.01)I
代理机构 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 代理人 杨立
主权项 一种抑制氟硅玻璃晶体缺陷的方法,包括如下步骤:步骤一,在晶圆表面淀积一层氟硅玻璃;步骤二,对氟硅玻璃的上表面进行等离子处理,形成一层低氟氧化层;步骤三,用去离子水对晶圆进行冲洗。
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