| 发明名称 | 金属硅化合物薄膜及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的课题在于提供一种金属硅化合物薄膜及其制造方法，所述金属硅化合物薄膜是以最高占据分子轨道(HOMO)与最低非占据分子轨道(LUMO)之间的能隙EHL大的，内包过渡金属的硅团簇作为结构单元的。本发明涉及如下金属硅化合物薄膜及其制造方法，所述金属硅化合物薄膜的特征在于：是以内包过渡金属的硅团簇作为结构单元的，所述硅团簇是过渡金属与硅的化合物，所述硅团簇中7个以上16个以下的硅原子包围在过渡金属原子周围；并且，过渡金属原子的第一及第二近邻原子，被配置为硅。 | ||
| 申请公布号 | CN101959795B | 申请公布日期 | 2014.06.18 |
| 申请号 | CN200980106376.8 | 申请日期 | 2009.02.25 |
| 申请人 | 独立行政法人产业技术综合研究所 | 发明人 | 金山敏彦;内田纪行 |
| 分类号 | C01B33/06(2006.01)I;C23C14/28(2006.01)I;C23C16/42(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人 | 崔建丽;武晶晶 |
| 主权项 | 一种金属硅化合物薄膜，其特征在于：是以内包过渡金属的硅团簇作为结构单元的，所述硅团簇是过渡金属与硅的非晶化合物，所述硅团簇中7个以上16个以下的硅原子包围在过渡金属原子周围；并且，过渡金属原子的第一及第二近邻原子，被配置为硅；在所述硅团簇之间形成si‑si键。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||