| 发明名称 | 带外延生长的合并源/漏的多鳍场效应晶体管及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例包括具有外延生长的合并源极/漏极的多鳍型场效应晶体管结构及其形成方法。实施例可包括在基底基板上方的外延绝缘体层，在该外延绝缘体层上方的栅极结构，在该栅极结构下方的半导体鳍，以及在该外延绝缘体层上、邻近该半导体鳍的该端部的外延源极/漏极区域。该外延绝缘体层可以由生长于半导体基底基板上的外延稀土氧化物形成。实施例还可包括在半导体鳍的端部上、位于半导体鳍端部和外延源极/漏极区域之间的鳍延伸区域。在一些实施例中，在栅极结构下方的半导体鳍的端部可以形成凹陷。 | ||
| 申请公布号 | CN103872131A | 申请公布日期 | 2014.06.18 |
| 申请号 | CN201310629718.2 | 申请日期 | 2013.11.29 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 程慷果;A.卡基菲鲁兹;A.雷兹尼塞克;R.斯里尼瓦桑;T.N.亚当 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 焦玉恒 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：在基底基板上方的外延绝缘体层；在该外延绝缘体层上方的栅极结构；在该栅极结构下方的半导体鳍，其中该半导体鳍的端部未被该栅极结构覆盖；以及在该外延绝缘体层上、邻近该半导体鳍的该端部的外延源极/漏极区域。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||